獨家觀察｜中美角逐光芯片領導地位

文/袁 淵

隨着全球數字化轉型進入深水區，光芯片已成為中美兩國高科技競爭的全新焦點，兩國依託各自的產業基礎、政策導向與技術優勢，在光芯片產業鏈各環節展開全方位、多層次的博弈，這種競爭既倒逼雙方技術迭代，也深刻推動全球光芯片產業的升級與重構。

AI算力爆發、數據中心規模化擴張及6G技術迭代升級，推動光芯片從傳統光通信領域的「配角」，快速升級為數字基建的核心器件，其承擔的電信號與光信號高效轉換使命，直接決定全球數字經濟發展的效率上限，更成為衡量國家科技實力與產業競爭力的核心指標之一。

光芯片產業鏈清晰分為上游材料與設備、中游設計製造、下游光模塊及終端應用三大核心環節，整體呈現「上游壁壘高、中游分化大、下游需求旺」的鮮明特徵。其中，中游光芯片設計製造是產業鏈的核心樞紐，直接決定產品性能與附加值，也是中美兩國競爭的主戰場；上游材料與設備是產業發展的「卡脖子」環節，技術壁壘極高，直接決定一國光芯片產業的自主可控能力；下游光模塊及終端應用則是競爭的「需求落地」載體，直接體現產業競爭力的市場轉化能力與場景適配水平。

中國擁完整產業鏈配套

從全球競爭格局來看，當前光芯片行業已形成「中美雙雄引領、日韓歐補充」的穩定格局：美國憑藉在高端芯片、核心材料與生產設備領域的技術壟斷優勢，牢牢佔據全球高端市場主導地位，掌控行業技術迭代方向與核心話語權；中國依託完整的產業鏈配套體系、規模化製造優勢及國家政策強力支持，在中低端光芯片市場實現全面突破，同時逐步向高端市場滲透，市場份額持續提升；日本、歐洲則在襯底材料、高端設備等細分領域保持局部技術優勢，成為中美競爭格局中的重要制衡力量。

中美兩國作為全球光芯片產業的核心玩家，雙方的競爭不僅深刻重塑兩國自身的光芯片產業格局，更對全球光芯片的技術迭代、供應鏈布局、市場格局產生了深遠影響，整體呈現「競爭與協同並存、分化與融合共生」的發展態勢，這種影響將長期持續，推動全球光芯片產業進入全新的發展階段。

其一，推動全球光芯片技術迭代加速。中美兩國為鞏固自身競爭優勢，持續加大光芯片領域的研發投入，倒逼兩國企業加快核心技術突破，推動光芯片向高速化、集成化、低功耗、小型化方向快速升級。美國在高端芯片、前沿技術領域的領先優勢，與中國在規模化製造、應用場景落地方面的優勢形成互補，間接推動全球光芯片技術的商業化進程，為AI、6G、量子計算等前沿領域的發展提供了核心支撐。

其二，全球光芯片供應鏈呈現「多元化、區域化」重構。受中美競爭及全球供應鏈安全需求的影響，全球光芯片供應鏈打破了原有「全球化分工」的格局，逐步向區域化、多元化方向轉型。美國推動光芯片製造、核心材料等環節向日韓等盟友轉移，試圖構建「脫離中國」的供應鏈體系；中國則加速培育本土供應鏈，推動上游材料、核心設備、中游芯片、下游光模塊企業協同發展，提升供應鏈自主可控能力，同時加強與東南亞、歐洲等地區的合作，拓展供應鏈多元化渠道，降低單一市場與單一供應商的依賴。

其三，全球光芯片市場格局呈現「兩極分化」加劇態勢。中美兩國憑藉各自的核心優勢，佔據全球光芯片市場的主導地位，形成「雙雄對峙」的市場格局，且這種格局將進一步強化。美國企業主導高端光芯片市場，聚焦高附加值產品，產品利潤率維持在高位，牢牢掌握高端市場的話語權；中國企業主導中低端光芯片市場，依託成本與規模優勢，佔據全球大部分市場份額，同時逐步向高端市場滲透，市場份額持續提升。

美技術封鎖　倒逼自主創新

其四，技術合作與技術封鎖並存，行業競爭複雜性提升。一方面，中美兩國在光芯片的基礎研究、前沿技術探索等領域仍存在少量合作，部分企業通過技術授權、聯合研發等方式實現優勢互補，共同推動全球光芯片技術的進步；另一方面，美國的技術封鎖逐步升級，不斷擴大出口管制範圍，禁止高端光芯片、核心設備向中國出口，限制中國企業參與國際合作與技術交流，加劇了全球光芯片產業的技術壁壘，也倒逼中國光芯片企業加快自主研發步伐。

面對美國的技術封鎖與激烈的市場競爭，中國光芯片產業要實現突圍，擺脫進口依賴，實現高質量發展，需立足自身優勢，聚焦核心短板，採取「技術攻堅、產業鏈協同、政策賦能、市場驅動」的綜合策略，循序漸進、久久為功，逐步縮小與美國企業的技術差距，構建自主可控的光芯片產業鏈，在全球競爭中佔據主動地位。

首先，聚焦核心短板，加大高端技術研發投入。在核心材料領域，加大磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等高端襯底及外延材料的研發投入，支持雲南鍺業、三安光電、有研新材等龍頭企業擴大產能、提升生產良率，逐步實現高端襯底與外延材料的進口替代。在高端光芯片領域，支持源傑科技、仕佳光子、光庫科技等龍頭企業開展聯合研發，共享技術資源，提升產品良率與性能，縮短與美國企業的技術差距。

其次，強化產業鏈協同，完善本土供應鏈布局。推動光芯片產業鏈上中下游協同發展，構建自主可控、高效協同的本土供應鏈體系。上游材料、設備企業與中游芯片企業加強技術對接與產品適配，優化產品設計與生產流程，降低供應鏈成本，提升產業鏈協同效率；中游芯片企業與下游光模塊企業深度綁定，實現「芯片─模塊」一體化發展，根據光模塊的需求優化芯片設計，提升產品適配性與附加值，同時依託下游光模塊的規模化需求，推動芯片量產，降低生產成本。

再次，依託政策賦能，借力資本市場支持。充分利用國家半導體產業扶持政策，為光芯片產業發展提供有力支撐。積極爭取國家專項資金、稅收減免、研發補貼等政策支持，緩解企業研發投入壓力，鼓勵企業加大光芯片領域的研發投入；出台專項政策，對高端光芯片、核心材料與設備的技術突破給予重點獎勵，引導企業聚焦核心短板，加快技術突破；完善行業標準與監管體系，規範行業發展，為光芯片產業營造公平、有序的市場環境。

最後，立足市場需求，推動技術商業化落地。依託國內龐大的市場需求，推動光芯片技術的商業化落地，實現「研發─量產─迭代」的良性循環。聚焦國內5G、數據中心、AI等核心應用場景，鞏固中低端光芯片的規模化優勢，提升市場份額，積累技術經驗與資金；針對高端市場，逐步推出適配800G、1.6T及以上光模塊的高端芯片產品，滿足國內高端場景的需求，逐步實現高端芯片的進口替代；積極拓展車載激光雷達、AR/VR、量子計算等新興應用場景，培育新的需求增長點，推動光芯片技術在新興領域的應用，提升產品附加值。

有望打破美企壟斷

光芯片作為數字基建的核心器件，是AI、6G、量子計算等前沿領域發展的基礎，已成為中美兩國高科技競爭的戰略制高點，兩國的博弈將長期持續，既給中國光芯片產業帶來了嚴峻的挑戰，也為產業升級提供了強大的動力。

展望未來，全球光芯片行業將持續向高速化、集成化、生態化方向發展，中美兩國的競爭將進一步聚焦前沿技術突破與供應鏈自主化，同時全球光芯片供應鏈的多元化、區域化趨勢將更加明顯。對中國而言，光芯片產業的破局之路任重道遠，需正視與美國企業的技術差距，不盲目跟風，立足自身優勢，聚焦核心短板，加大研發投入，強化產業鏈協同，借助政策與市場的雙重力量，加快國產替代步伐，推動產業高質量發展。

隨着中國光芯片企業的技術突破與產業升級、本土供應鏈的不斷完善，中國有望逐步打破美國企業的壟斷，在全球光芯片領域佔據重要地位。這不僅能保障國內數字基建的安全穩定，擺脫對進口光芯片、核心設備的依賴，更能推動全球光芯片技術的迭代與產業發展，為中國數字經濟高質量發展與科技自立自強提供核心支撐，也為全球數字經濟的發展注入新的動力。

（作者為外資投資基金董事總經理）

（來源：大公報A13：經濟 2026/03/17）